kw.\*:("JONCTION EPITAXIQUE")
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CONTROLE DU PROCESSUS TECHNOLOGIQUE DE PRODUCTION DE JONCTIONS P-N EPITAXIQUE ET EPITAXIQUE-PLANARSBUJKO LD; GOJDENKO PP; GURSKIJ LJ et al.1974; VESCI AKAD. NAVUK B.S.S.R., FIZ.-TEKH. NAVUK; S.S.S.R.; DA. 1974; NO 2; PP. 100-104; BIBL. 4 REF.Article
HIGHER-ORDER BREAKDOWN IN EPITAXIAL P+N/N+ JUNCTIONS.AHARONI H.1975; INTERNATION. J. ELECTRON.; G.B.; DA. 1975; VOL. 39; NO 1; PP. 105-112; BIBL. 3 REF.Article
EPITAXIAL SILICON P-N JUNCTIONS ON POLYCRYSTALLINE "RIBBON" SUBSTRATES.KRESSEL H; ROBINSON P; MCFARLANE SH et al.1974; APPL. PHYS. LETTERS; U.S.A.; DA. 1974; VOL. 25; NO 4; PP. 197-199; BIBL. 3 REF.Article
INERTIE D'UN "FILAMENT" DE COURANT ET INFLUENCE DE REACTIONS EXTERIEURES SUR SA STABILITE LORS DE LA DISRUPTION SECONDAIRE DE JONCTIONS P-NVALATSKA K; VISHNYAUSKAS YU; MACHYULAJTIS CH et al.1979; LITOV. FIZ. SB.; ISSN 0024-2969; SUN; DA. 1979; NO 4; PP. 533-541; ABS. LIT/ENG; BIBL. 6 REF.Article
STOCHASTIC PHENOMENA IN EPITAXIAL P-N JUNCTIONS IN GAP.SIKULA J; KOKTAVY B; KRATENA L et al.1975; PHYS. STATUS SOLIDI, A; ALLEM.; DA. 1975; VOL. 29; NO 1; PP. 41-46; ABS. ALLEM.; BIBL. 10 REF.Article
POSSIBILITE DE PRODUCTION D'UN AMPLIFICATEUR ACOUSTO-ELECTRONIQUE A L'AIDE D'UNE STRUCTURE EPITAXIQUE NN+ D'ARSENIURE DE GALLIUMGULYAEV YU V; IVANOV SN; KOTELYANSKIJ IM et al.1977; RADIOTEKH. I ELEKTRON.; S.S.S.R.; DA. 1977; VOL. 22; NO 4; PP. 810-814; BIBL. 11 REF.Article
ELABORATION PAR EPITAXIE EN PHASE LIQUIDE ET CARACTERISATION ELECTRIQUE DE JONCTION P-N A BASE DE GA1-XALXSBMEBARKI MOHAMMED.1980; ; FRA; DA. 1980; 106 P.: ILL.; 30 CM; TH. 3E CYCLE: PHYS., APPL. ELECTRON./MONTPELLIER 2/1980/312Thesis
SILICON CARBIDE LIGHT-EMITTING DIODES WITH EPITAXIAL JUNCTIONS.VON MUNCH W; KURZINGER W; PFAFFENEDER I et al.1976; SOLID-STATE ELECTRON.; G.B.; DA. 1976; VOL. 19; NO 10; PP. 871-874; BIBL. 4 REF.Article